一种用于可编程式的唯读记忆体或逻辑器件中的熔丝。需20至30 mA（毫安）电流去烧断它。在熔断操作过程中多晶硅熔丝凹凸处的温度可摄氏1400度左右，使硅氧化并形成绝缘物质，故使用的熔丝可消除熔断间隙中的导电物质。