高电子移动性电晶体

【高电子移动性电晶体】基础信息( 英文,繁体)

英文 high electron mobility transistor
繁体 高電子移動性電晶體

【高电子移动性电晶体】是什么意思

1980年由日本富士通(Fujitsu)发明的一种使用砷化镓(GaAs)和砷化铝镓(AlGaAs)相间制造之电晶体。该电晶体应用在卫星电视广播已证实在微波频率下有低杂讯的工作绩效。现富士通应用在逻辑和记忆的晶片上,其效能和大型主机所使用的二极型硅电路比较一硅闸之耗电率为2毫瓦,而本技术的闸只需0.24毫瓦,工作时间为85微微秒。总体绩效而言,比传统的使用的硅技术好5到10倍,唯其制程十分困难,使应用受阻。若能克服生产问题,将大幅提升电脑的工作效率。

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